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SiC高溫氧化爐
?適用領域：化合物半導體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝：高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation
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